Примеры решения задач по электротехнике, физике

Примеры решения задач по электротехнике, физике
Линейные электрические цепи постоянного тока
Методы расчета сложных цепей постоянного тока
Примеры  решения типовых задач
Рассчитаем токи для электрической цепи.
Электрические цепи однофазного синусоидального тока
Символический метод расчета электрических цепей
Комплексная амплитуда тока
Действующее значение напряжения, приложенного к электрической цепи
Применение векторных диаграмм для расчета электрических цепей
Резонансы в электрических цепях
Электрические цепи трехфазного тока
Интерференция света
Фотоны. Энергия, импульс световых квантов
Статистическая физика
Элементы кристаллографии

Кристаллы. Элементы кристаллографии

Молярный объем кристалла

Vm = M/r,

где М — молярная масса вещества; r — плотность кристалла. Объем V элементарной ячейки в кристаллах:

а) при кубической сингонии V = a3;

б) при гексагональной сингонии . Здесь а и с — па­раметры решетки.

Если для гексагональной решетки принять теоретическое значе­ние

, то .

Число Zm элементарных ячеек в одном моле кристалла

Zm = Vm/v, или Zm = kNA/n,

где k — число одинаковых атомов в химической формуле соедине­ния (например, в кристалле AgBr число одинаковых атомов Ag или Вг в химической формуле соедине­ния равно единице); NA — постоян­ная Авогадро; п— число одинаковых атомов, приходящихся на элементар­ную ячейку. Число Z элементарных ячеек в единице объема кристалла

Z = Zm/Vm

или в общем случае

для кристалла, состоящего из одинаковых атомов (k = l),

Параметр а кубической решетки

Расстояние d между соседними атомами в кубической решетке:

а) в гранецентрированной ,

б) в объемно центрированной .

Электроны в металле (по квантовой статистике)

 

 Распределение Ферми по энергиям для свободных электронов в металле:

при Т¹0

при Т¹0  при (e<ef), 

где dn(e)-концентрация электронов, энергия которых заключена в интервале, значений от e до e+de; m и e - масса и энергия электрона; eƒ- уровень (или энергия) Ферми.

Уровень Ферми в металле при Т=0

.

Температура Ткр вырождения

.

Удельная проводимость собственных полупроводников

g = en(bn + bp),

где e - заряд электрона; n - концентрация носителей заряда (электронов и дырок); bn и bp - подвижности электронов и дырок.

Напряжение UH на гранях образца при эффекте Холла

UH = RHBjℓ,

где RH - Постоянная Холла; В - индукция магнитного поля;

ℓ - ширина пластины; j - плотность тока.

Постоянная Холла для полупроводников типа алмаза, кремния; германия и др., обладающих носителями заряда одного вида (n или р),

,

где n - концентрация носителей заряда.

Примеры решения задач по электротехнике, физике